| 實(shí)驗(yàn)室純水系統(tǒng)的介紹 | 2021-4-13 |
【無錫水處理設(shè)備http://】污在當(dāng)今的實(shí)驗(yàn)室中，水環(huán)境作為絕大多數(shù)實(shí)驗(yàn)室的最基本環(huán)境，在實(shí)驗(yàn)中占的地位非常重要，水質(zhì)往往決定了很多實(shí)驗(yàn)結(jié)果的真實(shí)性、可重復(fù)性，對(duì)多數(shù)做實(shí)驗(yàn)的專家來說，他們通常要求純水中的雜質(zhì)元素和化合物的濃度在ppb級(jí)甚... |
| 鈉濾膜（NF）技術(shù)分析 | 2021-4-13 |
【無錫水處理設(shè)備http://】污目前膜技術(shù)作為一個(gè)古老但是新興的技術(shù)，技術(shù)開發(fā)越來越深入，應(yīng)用范圍越來越廣泛純水設(shè)備，本文總結(jié)目前世界上現(xiàn)有的膜處理技術(shù)，詳細(xì)介紹各種膜技術(shù)的原因及應(yīng)用領(lǐng)域！
一、微濾（MF）膜技術(shù)
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| 納濾（NF）膜技術(shù)及工作原理 | 2021-4-3 |
【無錫水處理設(shè)備http://】納濾（NF）是一種新型分子級(jí)膜分離技術(shù)，是目前世界膜分離領(lǐng)域研究的熱點(diǎn)之一。NF膜孔徑在1nm以上，一般在1-2nm；對(duì)溶質(zhì)的截留性能介于RO與UF膜之間；RO膜幾乎對(duì)所有的溶質(zhì)都有很高的脫除率，但NF膜只對(duì)... |
| 實(shí)驗(yàn)室純水的分類與標(biāo)準(zhǔn) | 2021-4-3 |
【無錫水處理設(shè)備http://】國(guó)家實(shí)驗(yàn)室純水標(biāo)準(zhǔn)（GB/T 6682）依據(jù)水的純度（水的導(dǎo)電性）分1、2、3級(jí)，1級(jí)電導(dǎo)率小于μs/cm；2級(jí)電導(dǎo)率小于μs/cm；3級(jí)電導(dǎo)率小于μs/cm；泉瑞QTCJ系列小型去離子水設(shè)備可滿足用戶的不同... |
| 電子工業(yè)用超純水概述 | 2021-3-23 |
【無錫水處理設(shè)備http://】半導(dǎo)體、集成電路芯片及封裝、液晶顯示、高精度線路板、光電器件、各種電子器件、微電子工業(yè)、大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路需用大量的高純水、超純水清洗半成品、成品。集成電路的集成度越高，對(duì)水質(zhì)的要求也越高。目前我國(guó)電子... |
| 超純水在太陽能行業(yè)、硅片切割行業(yè)的應(yīng)用半導(dǎo)體晶片切割制造用水工藝、半導(dǎo) | 2021-3-23 |
【無錫水處理設(shè)備http://】超純水應(yīng)用范圍概述:
電解電容器生產(chǎn)鋁箔及工作件的清洗
電子管生產(chǎn) 電子管陰極涂敷碳酸鹽配液
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| 純水設(shè)備知識(shí)：正滲透(FO)的技術(shù)原理 | 2021-3-23 |
【無錫水處理設(shè)備http://】用只能透過溶劑而不能透過溶質(zhì)分子的半透膜將溶劑和溶液隔開，溶劑分子將在滲透壓的作用下自發(fā)地從溶劑側(cè)透過膜進(jìn)入溶液側(cè)，這就是滲透現(xiàn)象，也即所謂的“正向滲透”。... |
| 純水設(shè)備知識(shí)：去離子水設(shè)備四種工藝流程概述 | 2021-3-8 |
【無錫水處理設(shè)備http://】去離子水設(shè)備的工藝流程大致可分為四種：
第一種：采用陽陰離子交換樹脂取得的去離子水，一般通過之后，出水電導(dǎo)率可降到10us/cm以下，再經(jīng)過混床就可以達(dá)到1us/cm以下了。但是這種方法做出來的水成本... |
| 廠務(wù)系統(tǒng)有哪些 | 2021-3-8 |
【無錫水處理設(shè)備http://】Cleanroom System [ 潔凈室系統(tǒng) ]
a,內(nèi)裝修工程：（高架地板工程、潔凈室隔墻板系統(tǒng)、鋁合金龍骨吊頂/ceiling grid、無塵涂裝、環(huán)氧地坪等）、壓差控制系統(tǒng)、ESD... |
| 氨氮（NH3-N）的測(cè)定 | 2021-3-8 |
【無錫水處理設(shè)備http://】方法原理
典化汞和典化鉀的堿性溶液與氨反應(yīng)生成淡紅棕色膠態(tài)化合物，此顏色在教寬的波長(zhǎng)范圍不內(nèi)具強(qiáng)烈吸收。通常測(cè)量用波長(zhǎng)在410—425nm范圍。
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